晶圆切割（划片）是芯片制造工艺流程中后道工序。将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片（晶粒）。

早期钻石锯片（砂轮）切割方法是较为常见的晶圆切割方法，切穿晶圆,刀片根据产品选择,有钢刀、树脂刀等等。由于机械应力的存在，切割槽的背面容易出现崩刃，裂纹，崩边大，层状剥离等缺陷。严重影响良品率，降低了产能效益，增加生产成本。

 激光划片

激光划片是指将激光能量于极短的时间内集中在微小区域，使固体升华、蒸发的全切割加工，开槽加工方式，属于激光烧蚀加工技术。激光划片属于非接触式加工，不会产生崩刃、刀具磨损和水污染，热影响和夹渣是不可忽视的问题。通过冷加工355nm紫外激光或超快激光，在非常高的加工要求规则下，仍具有一定的热效应。同时激光聚焦无法精确控制到刀具的深度，晶圆完全切穿时，蓝膜往往会被破坏，影响后续的晶体膨胀过程。

激光划片跟晶圆厚度有密切关系，厚度越厚，划片速度越慢，吞吐量就越低。

激光烧蚀划片适用于：

异形工件的切割加工比较脆的材料的加工，比如砷化GaAs化合物半导体材料超薄硅片的划片，避免传统刀片划片进给速度引发的破片风险；

激光烧蚀划片的缺点：

激光烧蚀在表面会产生碎屑，需要额外的湿法清洗工序，有切割道，相对而言生产效率较低。

隐形切割

激光隐形切割通过将脉冲激光的单个脉冲通过光学整形，让其透过材料表面在材料内部聚焦，在焦点区域能量密度较高，形成多光子吸收非线性吸收效应，使得材料改性形成裂纹。每一个激光脉冲等距作用，形成等距的损伤即可在材料内部形成一个改质层。在改质层位置材料的分子键被破坏，材料的连接变的脆弱而易于分开。切割完成后通过拉伸承载膜的方式，将产品充分分开，并使得芯片与芯片之间产生间隙。

隐形切割的优点：

由于工件内部改质，因此可以抑制加工屑的产生；适用于抗污垢性能差的工件；

适用于抗负荷能力差的工件（MEMS等），且采用干式加工工艺，无需清洗；

可以减小切割道宽度，因此有助于减小芯片间隔，适用于窄划道工件；

激光划片与激光隐形切割原理对比：

目前激光在半导体晶圆上的应用较多，追求精密加工工艺的同时，也在拓展应用覆盖面。