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Semiconductor Manufacturing
碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）组成具有高能隙、高热导率、高电子饱和漂移速率等优异物理特性的第三代半导体材料。而在应用上碳化硅器件成本居高不下，一方面生产周期长产量有限；另一方面晶锭切割工艺损耗多，良率低；碳化硅晶锭主流的切割技术包括砂浆线切割、金刚石线切割等，然而传统切割技术的损耗率太高，而且工时太长。以砂浆...
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碳化硅剥离,激光剥离原理,激光剥离优势
半导体制成技术及工艺无论在什么阶段都是行业热门话题及研究方向，随着新一代集成电路中尺寸降低，芯片集成密度提高，导致金属互连线的寄生电阻效应和寄生电容效应愈来愈严重，最终发热量增加影响芯片性能工作效率降低。 降低集成电路中使用的介电材料的介电常数，可以减少集成电路的漏电电流，降低导线之间的电阻、电容效应，提升性能及稳定性...
紫外皮秒激光,low-k,激光开槽,半导体激光开槽,激光Low-k开槽
晶圆切割（划片）是芯片制造工艺流程中后道工序。将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片（晶粒）。早期钻石锯片（砂轮）切割方法是较为常见的晶圆切割方法，切穿晶圆,刀片根据产品选择,有钢刀、树脂刀等等。由于机械应力的存在，切割槽的背面容易出现崩刃，裂纹，崩边大，层状剥离等缺陷。严重影响良品率，降低了产能效益，增加生产...
晶圆,激光晶圆划片,晶圆切割,隐形切割
晶圆是用来制造IC芯片的基础材料，由晶体和硅熔体通过熔晶工艺制造出晶圆棒，再通过切片方式制造出单片晶圆，晶圆划片则是划线出单个晶体单位。 晶圆划片工艺已经不再只是把一个硅晶圆划片成单独的芯片这样简单的操作。随着更多的封装工艺在晶圆级完成,并且要进行必要的微型化,针对不同任务的要求,在分割工艺中需要对不同的操作参数进行...
晶圆划片,激光晶圆划片,激光划片,单晶硅
在半导体行业，尤其是晶圆制造的过程中，激光打标一直以来起着至关重要的作用，借助于这种非接触式的刻印工艺，我们才能保证晶圆的稳定可追溯性，以便在整个制造过程中进行追踪。当然，这也意味着激光标记必须时刻能够被读取，同时对工艺细节有着严格的要求，因为标记不能妨碍底层上的任何工艺，也不能对晶圆造成任何额外的损坏，必须让整...
